盖世汽车 刘丽婷2025-05-07
盖世汽车讯 据外媒报道，设计并开发分立功率器件、宽带隙功率器件、电源管理IC和模块的全球供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）宣布推出其新一代（Gen3）1200V αSiC MOSFET，旨在最大限度地提高不断增长的大功率应用市场的效率。与AOS上一代产品相比，这些Gen3 MOSFET的开关品质因数（FOM）提高了高达30%，同时在高负载条件下保持了较低的传导损耗。性能提升不会影响其坚固性和可靠性，因为Gen3 MOSFET完全符合AEC-Q101标准，具有更长的使用寿命和HV-H3TRB（高压三相负载）能力。
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